2MBI150U4B-120-50 Модуль IGBT

Description Технические характеристики: Конфигурация: Half Bridge. Максимальный непрерывный ток коллектора: 150 A. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V. Тип канала: N. Тип установки: с резьбовым креплением. Тип упаковки: M233. Pin Count: 7. Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W. Размеры: 92 x 45 x 30 mm. Максимальная рабочая температура: +150 °C. . Производитель: FUJI . Производитель: FUJI.